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參數(shù)資料
| 型號： | IXFM15N65 |
| 廠商： | IXYS Corporation |
| 英文描述： | HIPERFET Power MOSFTETs |
| 中文描述： | HIPERFET電力MOSFTETs |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | IXFM15N65 |
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH 15N60
IXFM 15N60
IXFH 20N60
IXFM 20N60
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.9
Capacitance Curves
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Fig.10 Transient Thermal Impedance
V
DS
- Volts
1
10
100
I
D
0.1
1
10
100
Gate Charge - nCoulombs
0
20
40
60
80
100
120
140
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- Volts
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
CE
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
600
D=0.5
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 300V
I
D
= 20A
I
G
= 10mA
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
Limited by R
DS(on)
Single Pulse
f = 1 MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
D=0.2
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D=0.1
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