參數(shù)資料
型號： IXFN100N10S2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs with Schottky Diodes
中文描述： 100 A, 100 V, 0.0125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 99K
代理商： IXFN100N10S2
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Advantages
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HiPerFET
TM
Power MOSFETs
with Schottky Diodes
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15 m
IXFN 100N10S1
IXFN 100N10S2
IXFN 100N10S3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFN100N10S3 HiPerFET Power MOSFETs with Schottky Diodes
IXFN100N20 HiPerFET Power MOSFETs
IXFN106N20 HiPerFET Power MOSFETs
IXFN100N10 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFK90N20 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻23mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFN100N10S3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:HiPerFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
IXFN100N20 功能描述:MOSFET 100 Amps 200V 0.023 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN100N25 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN100N50P 功能描述:MOSFET 500V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFN100N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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