參數(shù)資料
型號： IXFK90N30
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 90 A, 300 V, 0.033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 125K
代理商： IXFK90N30
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
IXFK 90N30
IXFX 90N30
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
40
80
120
160
200
Pulse Width - Seconds
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.001
0.010
0.100
1.000
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
1
10
Gate Charge - nC
0
50
100
150
200
250
300
V
G
0
2
4
6
8
10
Crss
Coss
V
DS
= 150 V
I
D
= 45 A
I
G
= 10 mA
f = 100kHz
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
Ciss
5
20
0.5
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Capacitance Curves
Fig.9 Drain Current vs Drain to Source Voltage
Fig.10 Transient Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFX90N30 HiPerFET Power MOSFETs
IXFM11N80 HiPerFET Power MOSFETs
IXFM13N80 HiPerFET Power MOSFETs
IXFM11N100 HIPERFET Power MOSFTETs
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFK94N50P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK98N50P3 功能描述:MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFL100N50P 功能描述:MOSFET tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFL10N60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254
IXFL132N50P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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