參數(shù)資料
型號： IXFK80N20
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： RESN_0603LF-10M, 5%, 0603LF
中文描述： 80 A, 200 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： IXFK80N20
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
20
40
60
80
100
V
GS
- Volts
2
4
6
8
10
I
D
0
40
80
120
160
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
I
D
= 40A
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
D
0
40
80
120
160
200
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
D
0
40
80
120
160
200
5V
T
J
= 125
O
C
V
GS
= 10V
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
o
C
6V
5V
6V
IXFK72N20
IXFK80N20
V
GS
= 10V
9V
8V
I
D
= 80A
T
J
= 25
o
C
I
D
- Amperes
0
50
100
150
200
250
R
D
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
T
j
= 125
0
C
T
j
=25
0
C
V
GS
= 10V
7V
7V
V
GS
= 10V
9V
8V
IXFK72N20
IXFK80N20
Figure 2. Output Characteristics at 125
O
C
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 3. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value
Figure 4. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
Figure 6. Admittance Curves
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PDF描述
IXFK73N30Q HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFX73N30Q HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
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參數(shù)描述
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IXFK80N20S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-264SMD
IXFK80N50P 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK80N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK80N60P3 功能描述:MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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