型號(hào): | IXFK20N80Q |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class |
中文描述: | 20 A, 800 V, 0.42 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大小: | 72K |
代理商: | IXFK20N80Q |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFT20N80Q | HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class |
IXFH21N50 | N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.25Ω的N溝道增強(qiáng)型 HiPerFET功率MOSFET) |
IXFH22N55 | CONN RCPT .100 50POS SNGL TIN |
IXFH24N40 | HIPERFET Power MOSFTETs |
IXFH24N50 | 2MM TERMINAL STRIPS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXFK21N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFK21N100Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFK220N15P | 功能描述:MOSFET 220Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFK220N17T2 | 功能描述:MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |