參數(shù)資料
型號(hào)： IXFK110N07
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 110 A, 70 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 156K
代理商： IXFK110N07
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Time - Seconds
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
T
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
- Volts
0
10
20
30
40
p
p
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
Crss
Coss
Ciss
V
SD
- Volts
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
I
D
0
100
200
300
400
T
J
=25
O
C
T
J
=150
O
C
Gate Charge - nCoulombs
0
100
200
300
400
500
600
700
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
DS
= 40V
I
D
= 38A
I
G
= 1mA
T
J
=100
O
C
F = 1MHz
T
J
=150
O
C
IXFK105
IXFK110
Case Temperature -
O
C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
25
50
75
100
125
IXFK 110N06 IXFK 105N07 IXFK 110N07
Figure 11. Transient Thermal Resistance
Figure 9. Capacitance Curves
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Drain Current vs. Case Temperature
Figure 10. Source-Drain Voltage vs. Source Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFK105N07 HiPerFET Power MOSFETs
IXFK150N15 HiPerFET Power MOSFETs
IXFX150N15 HiPerFET Power MOSFETs
IXFK15N100Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT15N100Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFK110N20 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-264AA
IXFK120N20 功能描述:MOSFET 200V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK120N20P 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK120N25 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFK120N25P 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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