- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄383190 > IXFH9N80 (IXYS CORP) HiPerFET Power MOSFETs - N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXFH9N80 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | HiPerFET Power MOSFETs - N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family |
| 中文描述： | 9 A, 800 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 295K |
| 代理商： | IXFH9N80 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFLxxxx | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH24N50Q | HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFH26N50Q | HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFT24N50Q | HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFT26N50Q | HiPerFET Power MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXFH9N80Q | 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH9N80S | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-247SMD |
| IXFHN100 | 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFHT24N50 | 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFI7N80P | 功能描述:MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。