參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH80N085
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFETTM Power MOSFETs
中文描述： 85 A, 80 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 54K
代理商： IXFH80N085
1 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
L(RMS)
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv/dt
T
J
= 25 C to 150 C
T
J
= 25 C to 150 C; R
GS
= 1 M
Continuous
Transient
T
C
= 25 C
Lead current limit
T
C
= 25 C, pulse width limited by T
JM
T
C
= 25 C
T
C
= 25 C
85
85
20
30
80
75
320
V
V
V
V
A
A
A
80
50
2.5
5
A
mJ
J
I
S
T
J
150 C, R
G
= 2
T
C
= 25 C
I
, di/dt 100 A/ s, V
DD
V
DSS
,
V/ns
P
D
T
J
T
JM
T
stg
300
W
-55 to +150
150
-55 to +150
C
C
C
T
L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
300
C
M
d
Mounting torque
1.13/10
Nm/lb.in.
Weight
TO-247
TO-268
6
4
g
g
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt
Preliminary data sheet
Features
International standard packages
Low R
Rated for unclamped Inductive load
switching (UIS)
Molding epoxies meet UL
94
V-0
flammability classification
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
DSS
V
GS(th)
V
GS
= 0 V, I
D
= 1 mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4 mA
85
2.0
V
V
4.0
I
GSS
V
GS
= 20 V
DC
, V
DS
= 0
100
nA
I
DSS
V
DS
= V
V
GS
= 0 V
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
50
1
A
mA
R
DS(on)
V
= 10 V, I
= 0.5 I
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
9
m
TO-247 AD (IXFH)
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
HiPerFET
TM
Power MOSFETs
TO-268 (IXFT) Case Style
(TAB)
G
S
V
DSS
I
D25
R
DS(on)
= 9 m
= 85 V
= 80 A
t
rr
200 ns
IXFH 80N085
IXFT 80N085
(TAB)
98709 (03/24/00)
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFT80N085 HiPerFETTM Power MOSFETs
IXFH80N10Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓100V,導(dǎo)通電阻15mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH80N20Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻28mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK80N20Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT80N20Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH80N10 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 0.125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH80N10Q 功能描述:MOSFET 100V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH80N15Q 功能描述:MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH80N20Q 功能描述:MOSFET 200V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH80N30P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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