參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH7N90
廠商： IXYS Corporation
英文描述： HIPERFET Power MOSFTETs
中文描述： HIPERFET電力MOSFTETs
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
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代理商： IXFH7N90
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH8N80S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247SMD
IXFH9N80S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-247SMD
IXFH8N65 HIPERFET Power MOSFTETs
IXFJ40N30 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220VAR
IXFK110N20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-264AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH7N90Q 功能描述:MOSFET 7 Amps 900V 1.5W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH7N90Q_02 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH80N06 功能描述:MOSFET Legacy HiPer 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH80N08 功能描述:MOSFET 80 Amps 80V 0.009 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH80N085 功能描述:MOSFET HiPerFETTM Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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