型號(hào): | IXFH70N15 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-247AD |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 150伏五(巴西)直| 70A條(?。﹟采用TO - 247AD |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 135K |
代理商: | IXFH70N15 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFT80N10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-268 |
IXFH80N10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-247AD |
IXFX180N085 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 85V V(BR)DSS | 180A I(D) | TO-247VAR |
IXFX180N10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 180A I(D) | TO-247VAR |
IXFK180N085 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 85V V(BR)DSS | 180A I(D) | TO-264AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXFH70N20Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFH70N30Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFH74N20 | 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFH74N20P | 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFH75N10 | 功能描述:MOSFET 100V 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |