參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH67N10
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 67 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
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代理商： IXFH67N10
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH 67N10
IXFM 67N10
IXFH 75N10
IXFM 75N10
V
DS
- Volts
1
10
100
I
D
1
10
100
Gate Charge - nCoulombs
0
25
50
75
100
125 150
175
200
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- Volt
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
I
S
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
D=0.2
D=0.02
D=0.01
D=0.5
D=0.1
D=0.05
Single pulse
C
oss
C
iss
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
V
DS
= 50V
I
D
= 37.5A
I
G
= 1mA
Limited by R
DS(on)
C
rss
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
f = 1MHz
V
DS
= 25V
Fig.9
Capacitance Curves
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.11 Transient Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH75N10 HiPerFET Power MOSFETs
IXFM67N10 HiPerFET Power MOSFETs
IXFM75N10 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH68N20 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻35mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH6N100F Power MOSFETs
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參數(shù)描述
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IXFH6N100 功能描述:MOSFET 1KV 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH6N100 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
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