參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH5N100
廠商： IXYS Corporation
英文描述： HIPERFET Power MOSFTETs
中文描述： HIPERFET電力MOSFTETs
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 322K
代理商： IXFH5N100
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
24
34
S
C
iss
C
oss
C
rss
3600
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
870
pF
280
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
20
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1.5
(External)
40
ns
40
ns
13
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
98
140
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
25
35
nC
45
70
nC
R
thJC
R
thCK
0.42
K/W
(TO-247)
0.25
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
58
A
I
SM
Repetitive;
232
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
RM
200
ns
μ
C
I
F
= I
S
-di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
0.7
7
A
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
TO-247 AD Outline
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
Tab - Drain
3 - Source
1 2 3
IXFH
IXFT
58N20Q
58N20Q
TO-268 Outline
Min. Recommended Footprint
Dimensions in mm and inches
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFT70N15 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-268
IXFH70N15 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-247AD
IXFT80N10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-268
IXFH80N10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-247AD
IXFX180N085 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 85V V(BR)DSS | 180A I(D) | TO-247VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH5N100P 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFH60N20 功能描述:MOSFET 60 Amps 200V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH60N20F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH60N20F_08 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerRF Power MOSFET F-Class: MegaHertz Switching
IXFH60N25Q 功能描述:MOSFET 60 Amps 250V 0.047 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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