參數(shù)資料
型號(hào): IXFH58N20
廠商: IXYS CORP
元件分類: JFETs
英文描述: HiPerFET Power MOSFETs
中文描述: 58 A, 200 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝: TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 104K
代理商: IXFH58N20
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM50N20
IXFH/IXFM58N20
IXFT50N20
IXFT58N20
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
2.50
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
1.2
V
GS(th)
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
BV
DSS
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
58N20
42N20
50N20
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
I
D
- Amperes
0
25
50
75
100
125
150
175
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
DS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
6V
5V
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 15V
V
GS
= 10V
I
D
= 25A
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
T
J
= 25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH58N20Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓200V,導(dǎo)通電阻40mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH60N20F HiPerRFTM Power MOSFETs
IXFH60N25Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK60N25Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT60N25Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH58N20 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
IXFH58N20Q 功能描述:MOSFET 200V 58A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH58N20S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-247VAR
IXFH5N100 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH5N100P 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiPerFET