參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH35N30
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(導(dǎo)通電阻100mΩ的N溝道增強(qiáng)型 HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 35 A, 300 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 168K
代理商： IXFH35N30
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH 35N30
IXFM 35N30
IXFH 40N30
IXFM 40N30
V
DS
- Volts
1
10
100
I
D
1
10
100
Gate Charge - nCoulombs
0
25
50
75
100 125 150 175 200
V
G
0
2
4
6
8
10
V
SD
- Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Vds - Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
C
rss
300
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
C
oss
Limited by R
DS(on)
V
DS
= 150V
I
D
= 21A
I
G
= 10mA
C
iss
Single Pulse
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
f = 1 MHz
V
DS
= 25V
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.9
Capacitance Curves
Fig.10 Source Current vs. Source
Fig.11 Transient Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH8N80 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻1.1Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK32N50Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.15Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFK62N25 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IXFX62N25 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IXFN44N80 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻0.165Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH35N30S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247VAR
IXFH36N50P 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH36N55Q 功能描述:MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH36N55Q2 功能描述:MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH36N60P 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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