參數(shù)資料
型號： IXFH20N60
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓600V,導(dǎo)通電阻0.35Ω的N溝道增強型 HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 20 A, 600 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： IXFH20N60
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH 15N60
IXFM 15N60
IXFH 20N60
IXFM 20N60
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.9
Capacitance Curves
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Fig.10 Transient Thermal Impedance
V
DS
- Volts
1
10
100
I
D
0.1
1
10
100
Gate Charge - nCoulombs
0
20
40
60
80
100
120
140
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- Volts
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
CE
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
600
D=0.5
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 300V
I
D
= 20A
I
G
= 10mA
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
Limited by R
DS(on)
Single Pulse
f = 1 MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
D=0.2
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D=0.1
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IXFH20N80Q 功能描述:MOSFET 800V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IXFH21N50 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
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