參數(shù)資料
型號： IXFH140N10P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
中文描述： 140 A, 100 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： IXFH140N10P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,259,123B1
6,534,343
6,306,728B1
6,583,505
6,683,344
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
0
5
10
15
V
DS
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
DS
= 50V
I
D
= 70A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
4
4.5
5
5.5
6
V
G S
- Volts
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
I
D
T
J
= 150
o
C
25
o
C
-40
o
C
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
40
80
120
I
D
- Amperes
160
200
240
280
320
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
150
o
C
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
50
100
150
200
250
300
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
10
100
1000
1
10
100
1000
V
D S
- Volts
I
D
100μs
1ms
DC
T
J
= 175
o
C
T
C
= 25
o
C
R
DS(on)
Limit
10ms
25μs
IXFH 140N10P
IXFT 140N10P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFT15N80Q HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH15N80Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻0.60Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
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IXFH21N50Q HiPerFET Power MOSFETs MOSFETs
IXFH21N60 HIPERFET Power MOSFTETs
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參數(shù)描述
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