參數(shù)資料
型號(hào)： IXDR30N120D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package
中文描述： 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 69K
代理商： IXDR30N120D1
2000 IXYS All rights reserved
3 - 4
IXDR 30N120 D1
IXDR 30N120
0
200
400
600
800
A/
m
s
1000
0
20
40
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0
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1
2
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20
30
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50
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A
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0.5
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1.5
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A
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0
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60
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Q
G
0
5
10
15
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V
0.0
0.5
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1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
10
20
30
40
50
A
60
13V
11V
T
J
= 25
°
C
V
GE
=17V
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 600V
I
C
= 25A
15V
5
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0
10
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50
A
60
13V
11V
V
GE
=17V
15V
V
CE
= 20V
T
J
= 25
°
C
9V
9V
V
CE
V
I
C
V
CE
I
C
V
V
V
V
GE
V
F
I
C
I
F
nC
-di/dt
V
GE
A
I
RM
t
rr
ns
IXDH/..R30N120
T
J
= 125
°
C
V
R
= 600V
I
F
= 30A
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
RM
t
rr
Fig. 1
Typ. output characteristics
Fig. 2
Typ. output characteristics
Fig. 3
Typ. transfer characteristics
Fig. 4
Typ. forward characteristics of
free wheeling diode
Fig. 5
Typ. turn on gate charge
Fig. 6
Typ. turn off characteristics of
free wheeling diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXEN60N120 NPT IGBT
IXEN60N120D1 NPT IGBT
IXER35N120D1 NPT3 IGBT with Diode
IXER60N120 NPT3 IGBT
IXFA4N100Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻3.0Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXDR35N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDR502D1B 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 2 Amps V 4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXDS430 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver
IXDS430SI 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 30 Amps SelectableV 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXDS502D1B 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 2 Amps V 4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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