參數(shù)資料
型號(hào)： ISL9N307AP3
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
中文描述： 75 A, 30 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大小： 141K
代理商： ISL9N307AP3
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, January 2002
I
Typical Characteristic
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
0
20
40
60
80
25
50
75
100
125
150
175
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
0.01
0.1
1
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
100
1000
50
2000
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 5V
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ISL9N307AS3ST Global Limit Switches Series 91MCE: Top Plunger with boot seal, 1NO 1NC Direct Opening Snap Action, 1M Cable - Side Exit
ISL9N308AS3ST N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 8m з
ISL9N308AD3 N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 8mз
ISL9N308AP3 N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 8m з
ISL9N308AD3ST N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 8mз
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參數(shù)描述
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