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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS62WV2568BLL-55BI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 256K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PBGA36 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, MINI, BGA-36 |
| 文件頁數(shù)： | 6/14頁 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | IS62WV2568BLL-55BI |
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
06/20/05
IS62WV2568ALL, IS62WV2568BLL
ISSI
AC WAVEFORMS
READ CYCLE NO. 1
(1,2)
(Address Controlled) (
CS1
=
OE
= V
IL
,
CS2 =
WE
= V
IH
)
DATA VALID
PREVIOUS DATA VALID
t
AA
t
OHA
t
OHA
t
RC
D
OUT
ADDRESS
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
55 ns
70 ns
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS1/
t
ACS2
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCS1/
t
HZCS2
(2)
t
LZCS1/
t
LZCS2
(2)
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
55
—
70
—
ns
Address Access Time
—
55
—
70
ns
Output Hold Time
10
—
10
—
ns
CS1/
CS2 Access Time
—
55
—
70
ns
OE
Access Time
—
25
—
35
ns
OE
to High-Z Output
—
20
—
25
ns
OE
to Low-Z Output
5
—
5
—
ns
CS1/
CS2 to High-Z Output
0
20
0
25
ns
CS1/
CS2 to Low-Z Output
10
—
10
—
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 5 ns or less, timing reference levels of 0.9V, input pulse levels of 0.4 to 1.4V
and output loading specified in Figure 1.
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62WV51216ALL | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV51216ALL-70BI | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV51216ALL-70TI | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV51216ALL-70XI | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV51216BLL | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS62WV2568BLL-55BLI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 256Kx8 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV2568BLL-55BLI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 256Kx8 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV2568BLL-55H | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 32-Pin STSOP-I |
| IS62WV2568BLL-55HI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV2568BLL-55HLI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 256Kx8 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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