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參數(shù)資料
| 型號： | IS62WV2568BLL-55BI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 256K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PBGA36 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, MINI, BGA-36 |
| 文件頁數(shù)： | 13/14頁 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | IS62WV2568BLL-55BI |
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
06/20/05
13
IS62WV2568ALL, IS62WV2568BLL
ISSI
SEATING PLANE
A
A1
A2
A
B
C
D
E
F
G
H
6
5
4
3
2
1
e
e
D1
E1
E
D
Mini Ball Grid Array
Package Code: B (36-pin) (6mm x 8mm, 8mm x 10 mm)
Notes:
1. Controlling dimension: millimeters, unless otherwise specified.
2.
BSC = Basic lead spacing between centers
.
3. Dimensions D1 and E do not include mold flash protrusion and should be measured from the bottom of the package.
4. Formed leads shall be planar with respect to one another within 0.004 inches at the seating plane.
Mini Ball Grid Array - 6mm x 8mm
MILLIMETERS
INCHES
Sym.
Min. Typ. Max.
Min. Typ Max.
REF.
STD
N0.
Leads
36
A
A1
A2
D
D1
E
E1
1.00
0.24
.600
7.90
—
—
—
8.00
5.25BSC
6.00
3.75BSC
1.35
.030
—
8.10
.039
.009
.023
.311
—
—
—
.314
.206BSC
.236
.147BSC
.053
.011
—
.318
5.90
6.10
.232
.240
e
0.75BSC
.029BSC
Mini Ball Grid Array - 8mm x 10mm
MILLIMETER
INCHES
Sym.
Min. Typ.
Max.
Min. Typ Max.
REF.
STD
N0.
Leads
36
A
A1
A2
D
D1
E
E1
1.00
0.24
.600
9.90 10.00 10.10
5.25BSC
7.90
8.00
3.75BSC
—
—
—
1.35
0.030
—
.039
.009
.023
.389
—
—
—
.393
.206BSC
.314
.147BSC
.053
.011
—
.397
8.10
.311
.318
e
0.75BSC
.029BSC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62WV51216ALL | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV51216ALL-70BI | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV51216ALL-70TI | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV51216ALL-70XI | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV51216BLL | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS62WV2568BLL-55BLI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mb 256Kx8 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV2568BLL-55BLI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mb 256Kx8 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV2568BLL-55H | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 32-Pin STSOP-I |
| IS62WV2568BLL-55HI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV2568BLL-55HLI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mb 256Kx8 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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