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參數(shù)資料
| 型號： | IS62WV25616BLL-70T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| 中文描述： | 256K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO44 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-44 |
| 文件頁數(shù)： | 11/14頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | IS62WV25616BLL-70T |
IS62WV25616ALL, IS62WV25616BLL
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
05/02/05
11
DATA RETENTION WAVEFORM
(
CS1
Controlled)
V
DD
CS1
≥
V
DD
- 0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
CS1
GND
Data Retention Mode
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
Parameter
V
DD
for Data Retention
Test Condition
See Data Retention Waveform
V
DD
= 1.2V,
CS1
≥
V
DD
– 0.2V
See Data Retention Waveform
Min.
1.2
Max.
3.6
Unit
V
Data Retention Current
—
15
μA
Data Retention Setup Time
0
—
ns
Recovery Time
See Data Retention Waveform
t
RC
—
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62WV2568BLL-55BLI | 256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV2568BLL-55HI | 256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV2568BLL-55HLI | 256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV2568BLL-55TI | 256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV2568BLL-55TLI | 256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS62WV25616CLL-70BI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS62WV25616DALL/DBLL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616DALL-55BI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616DALL-55BLI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616DALL-55TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
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