參數(shù)資料
型號： IS62WV20488BLL-25MLI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 2M x 8 HIGH-SPEED LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述： 2M X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, PBGA48
封裝： 9 X 11 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48
文件頁數(shù)： 12/16頁
文件大?。?/td> 120K
代理商： IS62WV20488BLL-25MLI
12
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00B
06/21/06
ISSI
IS62WV20488ALL
IS62WV20488BLL
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
(1)
Max.
Unit
V
DR
Vcc for Data Retention
See Data Retention Waveform
Vcc = 1.2V,
CS1/
CS2
≥
Vcc – 0.2V
See Data Retention Waveform
1.2
3.6
V
I
DR
Data Retention Current
—
0.5
1.5
mA
t
SDR
Data Retention Setup Time
0
—
ns
t
RDR
Recovery Time
See Data Retention Waveform
t
RC
—
ns
Note:
1. Typical values are measured at V
DD
= 3.0V, T
A
= 25oC and not 100% tested.
DATA RETENTION WAVEFORM (
CS1
Controlled)
DATA RETENTION WAVEFORM (CS2 Controlled)
V
CC
CS1
≥
V
CC
-
0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
CS1
GND
3.0V
2.2V
Data Retention Mode
V
CC
CS2
≤
0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
0.4V
CS2
GND
3.0
2.2V
Data Retention Mode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS62WV20488BLL-25TI 2M x 8 HIGH-SPEED LOW POWER CMOS STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IS62WV25616ALL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM
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