- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄296250 > IS61SPS25632D-5TQ (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 256K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IS61SPS25632D-5TQ |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 5/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 152K |
| 代理商： | IS61SPS25632D-5TQ |
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
13
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00A
04/17/01
IS61SPS25632T/D
IS61LPS25632T/D
IS61SPS25636T/D
IS61LPS25636T/D
IS61SPS51218T/D
IS61LPS51218T/D
ISSI
READ/WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS (Over Operating Range)
-166*
-150
-133
-100
Symbol Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
fMAX
Clock Frequency
—
166
—
150
—
133
—
100
MHz
tKC
Cycle Time
6
—
6.7
—
7.5
—
10
—
ns
tKH
Clock High Pulse Width
2.3
—
2.5
—
2.8
—
3
—
ns
tKL
Clock Low Pulse Width
2.3
—
2.5
—
2.8
—
3
—
ns
tKQ
Clock Access Time
—
3.5
—
3.8
—
4
—
5ns
tKQX(1)
Clock High to Output Invalid
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
tKQLZ(1,2)
Clock High to Output Low-Z
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
tKQHZ(1,2)
Clock High to Output High-Z
—
3.5
—
3.8
—
4
—
5ns
tOEQ
Output Enable to Output Valid
—
3.5
—
3.8
—
4
—
5ns
tOELZ(1,2)
Output Enable to Output Low-Z
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
tOEHZ(1,2)
Output Enable to Output High-Z
—
3.2
—
3.8
—
4
—
5ns
tAS
Address Setup Time
1.5
—
1.5
—
1.5
—
2
—
ns
tSS
Address Status Setup Time
1.5
—
1.5
—
1.5
—
2
—
ns
tWS
Write Setup Time
1.5
—
1.5
—
1.5
—
2
—
ns
tCES
Chip Enable Setup Time
1.5
—
1.5
—
1.5
—
2
—
ns
tAVS
Address Advance Setup Time
1.5
—
1.5
—
1.5
—
2
—
ns
tAH
Address Hold Time
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
tSH
Address Status Hold Time
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
tWH
Write Hold Time
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
tCEH
Chip Enable Hold Time
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
tAVH
Address Advance Hold Time
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
*This speed available only in SPS version
Note:
1. Guaranteed but not 100% tested. This parameter is periodically sampled.
2. Tested with load in Figure 2.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61VF102436A-6.5B3I | 1M X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| IS62LV25616LL-70TI | x16 SRAM |
| IS62LV25616LL-85B | x16 SRAM |
| IS62LV25616LL-85BI | x16 SRAM |
| IS62LV25616LL-85M | x16 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61VF102418A-6.5B3 | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61VF102418A-6.5B3I | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61VF102418A-6.5B3I-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61VF102418A-6.5B3-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61VF102418A-6.5TQ | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。