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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS61NVF102436A-7.5TQI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 23/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 402K |
| 代理商： | IS61NVF102436A-7.5TQI |
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
9
Rev. B
06/09/08
IS61NLF102436A/IS61NVF102436A
IS61NLF204818A/IS61NVF204818A
LINEAR BURST ADDRESS TABLE (MODE = VSS)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(1)
Symbol
Parameter
Value
Unit
TsTG
StorageTemperature
–65to+150
°C
Pd
PowerDissipation
1.6
W
IouT
OutputCurrent(perI/O)
100
mA
VIn, VouT
VoltageRelativetoVssforI/OPins
–0.5toVddq + 0.3
V
VIn
VoltageRelativetoVssfor
–0.3to4.6
V
for Address and Control Inputs
Notes:
1.StressgreaterthanthoselistedunderABSOLUTEMAXIMUMRATINGSmaycausepermanentdamagetothedevice.Thisisa
stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sectionsofthisspecificationisnotimplied.Exposuretoabsolutemaximumratingconditionsforextendedperiodsmayaffectreli-
ability.
2.Thisdevicecontainscircuitytoprotecttheinputsagainstdamageduetohighstaticvoltagesorelectricfields;however,precau-
tionsmaybetakentoavoidapplicationofanyvoltagehigherthanmaximumratedvoltagestothishigh-impedancecircuit.
3.ThisdevicecontainscircuitrythatwillensuretheoutputdevicesareinHigh-Zatpowerup.
0,0
1,0
0,1
A1', A0' = 1,1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISC-100815UH+/-20% | 1 ELEMENT, 15 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| ISC1812181KRE4 | 1 ELEMENT, 180 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| ISC1812151KRE4 | 1 ELEMENT, 150 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| ISC1812121KRE4 | 1 ELEMENT, 120 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| ISC1812680KRE4 | 1 ELEMENT, 68 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61NVF25672-6.5B1 | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61NVF25672-6.5B1I | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61NVF25672-6.5B1I-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61NVF25672-6.5B1-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,6.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61NVF25672-7.5B1I | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,256K x 72,7.5ns,2.5v - I/O,209 Ball PBGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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