參數(shù)資料
型號： IS61C256AL-12TL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
中文描述： 32K X 8 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO28
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-28
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： IS61C256AL-12TL
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
10/23/06
7
IS61C256AL
ISSI
WRITE CYCLE NO. 2
(
OE
is HIGH During Write Cycle)
(1,2)
WRITE CYCLE NO. 3
(
OE
is LOW During Write Cycle)
(1)
Notes:
1. The internal write time is defined by the overlap of
CE
LOW and
WE
LOW. All signals must be in valid states to initiate a Write,
but any one can go inactive to terminate the Write. The Data Input Setup and Hold timing are referenced to the rising or falling
edge of the signal that terminates the Write.
2. I/O will assume the High-Z state if
OE
≥
V
IH
.
DATA UNDEFINED
LOW
t
WC
VALID ADDRESS
t
PWE1
t
AW
t
HA
HIGH-Z
t
HD
t
SA
t
HZWE
ADDRESS
CE
WE
D
OUT
D
IN
OE
DATA
IN
VALID
t
LZWE
t
SD
CE_WR2.eps
DATA UNDEFINED
t
WC
VALID ADDRESS
LOW
LOW
t
PWE2
t
AW
t
HA
HIGH-Z
t
HD
t
SA
t
HZWE
ADDRESS
CE
WE
D
OUT
D
IN
OE
DATA
IN
VALID
t
LZWE
t
SD
CE_WR3.eps
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61C256AL-12TLI 32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C256AL_06 32K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C256AL 32K X 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C256AL-10J 32K X 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C256AL-10JL 32K X 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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參數(shù)描述
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