參數(shù)資料
型號: IS45S81600B
廠商: Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述: 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述: 16Meg × 8,8Meg x16 128兆位同步DRAM
文件頁數(shù): 4/59頁
文件大小: 593K
代理商: IS45S81600B
ISSI
4
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
04/14/06
IS45S81600B, IS45S16800B
PIN CONFIGURATIONS
54 pin TSOP - Type II for x16
PIN DESCRIPTIONS
A0-A11
Row Address Input
A0-A8
Column Address Input
BA0, BA1
Bank Select Address
DQ0 to DQ15
Data I/O
CLK
System Clock Input
CKE
Clock Enable
CS
Chip Select
RAS
Row Address Strobe Command
CAS
Column Address Strobe Command
V
DD
DQ0
V
DD
Q
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ3
DQ4
V
DD
Q
DQ5
DQ6
V
SS
Q
DQ7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
1
9
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
4
9
48
47
46
45
44
43
42
41
40
3
9
38
37
36
35
34
33
32
31
30
2
9
28
V
SS
DQ15
V
SS
Q
DQ14
DQ13
V
DD
Q
DQ12
DQ11
V
SS
Q
DQ10
DQ
9
V
DD
Q
DQ8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A
9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
WE
Write Enable
DQML
x16 Lower Byte, Input/Output Mask
DQMH
x16 Upper Byte, Input/Output Mask
V
DD
Power
Vss
Ground
V
DDQ
Power Supply for I/O Pin
Vss
Q
Ground for I/O Pin
NC
No Connection
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS45S81600B-7TA 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S81600B-7TA1 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S81600B-7TLA 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S81600B-7TLA1 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S32200C1 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS45S81600B-7TA 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S81600B-7TA1 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS45S81600B-7TLA 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS45S81600B-7TLA1 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS45S81600E 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM