參數(shù)資料
型號: IS43R16160A-6T
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM
中文描述: 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝: PLASTIC, TSOP2-66
文件頁數(shù): 13/56頁
文件大小: 792K
代理商: IS43R16160A-6T
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00B
11/28/05
13
ISSI
IS43R16160A
Precharge Timing During Read Operation
For the earliest possible Precharge command without interrupting a Read burst, the Precharge command
may be issued on the rising clock edge which is CAS latency (CL) clock cycles before the end of the Read
burst. A new Bank Activate (BA) command may be issued to the same bank after the RAS precharge time
(t
RP
). A Precharge command can not be issued until t
RAS
(min) is satisfied.
Read with Precharge Timing as a Function of CAS Latency
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
D
0
D
1
D
2
D
3
NOP
Read
NOP
NOP
Pre
A
NOP
BA
NOP
CK, CK
Command
DQS
DQ
t
RAS
(min)
t
RP
(min)
BA
NOP
T9
D
0
CAS Latency=2.5
D
1
D
2
D
3
DQS
DQ
CAS Latency=2
(CAS Latency = 2, 2.5; Burst Length = 4)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IS43R16800A-6T 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
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參數(shù)描述
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IS43R16160B-5BLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube