參數(shù)資料
型號： IS42VS16100C1
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 為512k字× 16位× 2銀行（16兆）同步動態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 29/80頁
文件大?。?/td> 772K
代理商： IS42VS16100C1
IS42VS16100C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00A
04/15/05
29
Interval Between Write and Read Commands
A new read command can be executed while a write cycle
is in progress, i.e., before that cycle completes. Data
corresponding to the new read command is output after the
CAS
latency has elapsed from the point the new read
command was executed. The DQn pins must be placed in
the HIGH impedance state at least one cycle before data
is output during this operation.
The interval (t
CCD
) between command must be at least one
clock cycle.
The selected bank must be set to the active state before
executing this command.
DQ
WRITE A0
READ B0
COMMAND
CLK
D
IN
A0
D
OUT
B0
D
OUT
B2
D
OUT
B1
D
OUT
B3
t
CCD
HI-Z
WRITE (CA=A, BANK 0)
READ (CA=B, BANK 0)
DQ
WRITE A0
READ B0
COMMAND
CLK
D
IN
A0
D
OUT
B0
D
OUT
B2
D
OUT
B1
D
OUT
B3
t
CCD
HI-Z
WRITE (CA=A, BANK 0)
READ (CA=B, BANK 0)
CAS
latency = 2, burstlength = 4
CAS
latency = 3, burstlength = 4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42VS16100C1-10T 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1-10TI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1-10TL 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16400C1 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16400C1-10T 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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參數(shù)描述
IS42VS16100C1-10T 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42VS16100C1-10TI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42VS16100C1-10TI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42VS16100C1-10TL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42VS16100C1-10TLI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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