參數(shù)資料
型號: IS42VS16100C1-10T
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述: 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO50
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, MS-24, TSOP2-50
文件頁數(shù): 14/80頁
文件大?。?/td> 772K
代理商: IS42VS16100C1-10T
IS42VS16100C1
ISSI
14
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00A
04/15/05
COMMAND TRUTH TABLE
(1,2)
CKE
n-1
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
Symbol
MRS
REF
SREF
PRE
PALL
ACT
WRIT
WRITA
READ
READA
BST
NOP
DESL
SBY
ENB
MASK
Command
Mode Register Set
(3,4)
Auto-Refresh
(5)
Self-Refresh
(5,6)
Precharge Selected Bank
Precharge Both Banks
Bank Activate
(7)
Write
Write With Auto-Precharge
(8)
Read
(8)
Read With Auto-Precharge
(8)
Burst Stop
(9)
No Operation
Device Deselect
Clock Suspend / Standby Mode
Data Write / Output Enable
Data Mask / Output Disable
n
X
H
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
CS
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
X
X
RAS
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
CAS
L
L
L
H
H
H
L
L
L
L
H
H
X
X
X
X
WE
DQM
L
H
H
L
L
H
L
L
H
H
L
H
X
X
X
X
A11
A10
A9-A0
DQn
X
HIGH-Z
HIGH-Z
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
Active
HIGH-Z
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
OP CODE
X
X
X
X
BS
X
BS
Row
BS
BS
BS
BS
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
Row
L
H
L
H
X
X
X
X
X
X
Column
(18)
Column
(18)
Column
(18)
Column
(18)
X
X
X
X
X
X
DQM TRUTH TABLE
(1,2)
CKE
n-1
H
H
H
H
H
H
DQM
UPPER
Symbol
ENB
MASK
ENBU
ENBL
MASKU
MASKL
Command
Data Write / Output Enable
Data Mask / Output Disable
Upper Byte Data Write / Output Enable
Lower Byte Data Write / Output Enable
Upper Byte Data Mask / Output Disable
Lower Byte Data Mask / Output Disable
n
X
X
X
X
X
X
LOWER
L
H
X
L
X
H
L
H
L
X
H
X
CKE TRUTH TABLE
(1,2)
CKE
n-1
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
Symbol Command
SPND
Start Clock Suspend Mode
Clock Suspend
Terminate Clock Suspend Mode
REF
Auto-Refresh
SELF
Start Self-Refresh Mode
SELFX
Terminate Self-Refresh Mode
Current State
Active
Other States
Clock Suspend
Idle
Idle
Self-Refresh
n
L
L
H
H
L
H
H
L
L
H
CS RAS CAS WE
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
H
H
X
L
H
H
X
X
X
X
X
X
L
L
H
X
H
X
X
A11 A10A9-A0
X
X
X
X
X
X
H
X
H
X
H
X
X
X
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
PDWN
Start Power-Down Mode
Idle
Terminate Power-Down Mode
Power-Down
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42VS16100C1-10TI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1-10TL 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16400C1 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16400C1-10T 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16400C1-10TL 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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參數(shù)描述
IS42VS16100C1-10TI 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42VS16100C1-10TI-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42VS16100C1-10TL 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42VS16100C1-10TLI 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42VS16100C1-10TLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube