參數(shù)資料
型號(hào)： IS42S83200B
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述： 32Meg × 8，16Meg x16 256兆位同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 10/62頁(yè)
文件大?。?/td> 646K
代理商： IS42S83200B
ISSI
10
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00E
05/25/06
IS42S83200B, IS42S16160B
Current State
Idle
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
RAS
X
H
H
H
H
L
L
L
L
X
H
H
H
H
L
L
CAS
X
H
H
L
L
H
H
L
L
X
H
H
L
L
H
H
WE
X
H
L
H
L
H
L
H
L
X
H
L
H
L
H
L
Address
X
X
X
BA, CA, A10
A, CA, A10
BA, RA
BA, A10
X
OC, BA1=L
X
X
X
BA, CA, A10
BA, CA, A10
BA, RA
BA, A10
Command
DESL
NOP
BST
READ/READA
WRIT/ WRITA
ACT
PRE/PALL
REF/SELF
MRS
DESL
NOP
BST
READ/READA
WRIT/ WRITA
ACT
PRE/PALL
Action
Nop or Power Down
(2)
Nop or Power Down
(2)
Nop or Power Down
ILLEGAL
(3)
ILLEGAL
(3)
Row activating
Nop
Auto refresh or Self-refresh
(4)
Mode register set
Nop
Nop
Nop
Begin read
(5)
Begin write
(5)
ILLEGAL
(3)
Precharge
Precharge all banks
(6)
ILLEGAL
ILLEGAL
Continue burst to end to
Row active
Continue burst to end Row
Row active
Burst stop, Row active
Terminate burst,
begin new read
(7)
Terminate burst,
begin write
(7,8)
ILLEGAL
(3)
Terminate burst
Precharging
ILLEGAL
ILLEGAL
Continue burst to end
Write recovering
Continue burst to end
Write recovering
Burst stop, Row active
Terminate burst, start read :
Determine AP
(7,8)
Terminate burst, new write :
Determine AP
(7)
ILLEGAL
(3)
Terminate burst Precharging
(9)
ILLEGAL
ILLEGAL
Row Active
L
L
H
L
L
X
L
L
X
H
L
X
X
OC, BA
X
REF/SELF
MRS
DESL
Read
L
H
H
H
X
NOP
L
L
H
H
H
L
L
H
X
BA, CA, A10
BST
READ/READA
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
L
L
L
L
H
H
H
L
BA, RA
BA, A10
ACT
PRE/PALL
L
L
H
L
L
X
L
L
X
H
L
X
X
OC, BA
X
REF/SELF
MRS
DESL
Write
L
H
H
H
X
NOP
L
L
H
H
H
L
L
H
X
BA, CA, A10
BST
READ/READA
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
L
L
H
L
H
L
BA, RA
BA, A10
X
OC, BA
RA ACT
PRE/PALL
REF/SELF
MRS
FUNCTIONAL TRUTH TABLE
Note: H=V
IH
, L=V
IL
x= V
IH
or V
IL
, V = Valid Data, BA= Bank Address, CA+Column Address, RA=Row Address, OC= Op-Code
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S83200B-6T 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S83200B-6TL 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S83200B-7T 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S83200B-7TI 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S83200B-7TL 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S83200B-6T 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S83200B-6TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S83200B-6TLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (32Mx8) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S83200B-6TLI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (32Mx8) 166MHz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S83200B-6TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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