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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S81600B-6T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 14/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 585K |
| 代理商： | IS42S81600B-6T |
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ISSI
14
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. E
05/01/06
IS42S81600B, IS42S16800B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
Symbol
Parameters
Rating
Unit
V
DD
MAX
V
DDQ
V
IN
V
OUT
P
D
MAX
I
CS
T
OPR
Maximum Supply Voltage
Maximum Supply Voltage for Output Buffer
Input Voltage
Output Voltage
Allowable Power Dissipation
Output Shorted Current
Operating Temperature
–0.5 to +4.6
–0.5 to +4.6
–0.5 to V
DD
+ 0.5
–1.0 to V
DDQ
+ 0.5
1
50
0 to +70
–40 to +85
–65 to +150
V
V
V
V
W
mA
°C
MAX
Com.
Ind.
T
STG
Storage Temperature
°C
DC RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
V
DDQ
V
IH
(1)
V
IL
(2)
Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
3.0
3.0
2.0
-1.2
3.3
3.3
—
—
3.6
3.6
V
V
V
V
V
DDQ
+ 1.2
+0.8
CAPACITANCE CHARACTERISTICS
(At T
A
= 0 to +25°C, V
DD
= V
DDQ
= 3.3 ± 0.3V)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
-6
-7/-75E
C
IN1
C
IN2
CI/O
Input Capacitance: CLK
Input Capacitance:All other input pins
Data Input/Output Capacitance:I/Os
2.5
2.5
4.0
3.5
3.8
6.5
4.0
5.0
6.5
pF
pF
pF
Note:
1. V
IH
(max) = V
DDQ
+1.2V (
PULSE
WIDTH
< 3
NS
).
2. V
IL
(min) = -1.2V (
PULSE
WIDTH
< 3
NS
).
3. All voltages are referenced to Vss.
Notes:
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to
the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other condi-
tions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. All voltages are referenced to Vss.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S81600B-6TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-7T | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-7TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-7TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-7TLI | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S81600B-6TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600B-7T | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S81600B-7TI | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S81600B-7TI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S81600B-7TL | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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