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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S81600A |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 16Meg × 8，8Meg x16 |
| 文件頁數(shù)： | 16/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 556K |
| 代理商： | IS42S81600A |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
23
ADVANCEDINFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
ISSI
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
AC TEST CONDITIONS
Input Load
Output Load
Output
Z = 50
30 pF
Vddq
350
350
1.6V
0.9V
0.2V
CLK
INPUT
OUTPUT
tCHI
tCH
tAC
tOH
tCS
tCK
tCL
1.6V
0.9V
0.2V
AC TEST CONDITIONS
Parameter
Unit
AC High Level Input Voltage/Low Level Input Voltage
1.6V to 0.2V
Input Rise and Fall Times
1 ns
Input Timing Reference Level
0.9V
Output Timing Measurement Reference Level
0.9V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S81600A-10T | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600A-10TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IC42S81600L-7T(G) | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600L-7TI(G) | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600L-8T(G) | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S81600A-10T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600A-10TI | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600A-10TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600A-6T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S81600A-6TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
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