參數(shù)資料
型號(hào)： IS42S81600A-7TLI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述： 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 16/65頁
文件大小： 556K
代理商： IS42S81600A-7TLI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
23
ADVANCEDINFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
ISSI
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
AC TEST CONDITIONS
Input Load
Output Load
Output
Z = 50
30 pF
Vddq
350
350
1.6V
0.9V
0.2V
CLK
INPUT
OUTPUT
tCHI
tCH
tAC
tOH
tCS
tCK
tCL
1.6V
0.9V
0.2V
AC TEST CONDITIONS
Parameter
Unit
AC High Level Input Voltage/Low Level Input Voltage
1.6V to 0.2V
Input Rise and Fall Times
1 ns
Input Timing Reference Level
0.9V
Output Timing Measurement Reference Level
0.9V
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PDF描述
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參數(shù)描述
IS42S81600AL-7TL 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS42S81600B-6T 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
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IS42S81600B-7T 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S81600B-7TI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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