參數(shù)資料
型號(hào)： IS42S81600A-7TL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述： 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 3/65頁(yè)
文件大?。?/td> 556K
代理商： IS42S81600A-7TL
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
11
ADVANCEDINFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
ISSI
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
CKE
DQM
Function Symbol
n-1
n
U
L
Data write / output enable
H
×
L
Data mask / output disable
H
×
H
Upper byte write enable / output enable
H
×
L
×
Lower byte write enable / output enable
H
×
L
Upper byte write inhibit / output disable
H
×
H
×
Lower byte write inhibit / output disable
H
×
H
CKE
A11
Function Symbol
n – 1
n
CS
RAS
CAS
WE
BA1
BA0
A10
A9 - A0
Device deselect
H
×
H
×
No operation
H
×
L
H
×
Burst stop
H
L
H
L
×
Read
H
×
L
H
L
H
V
L
V
Read with auto precharge
H
×
L
H
L
H
V
H
V
Write
H
×
L
H
L
V
L
V
Write with auto precharge
H
×
L
H
L
V
H
V
Bank activate
H
×
L
H
V
Precharge select bank
H
×
L
H
L
V
L
×
Precharge all banks
H
×
L
H
L
×
H
×
Mode register set
H
×
L
V
Extended mode reg set
H
×
L
H
L
V
COMMAND TRUTH TABLE
DQM TRUTH TABLE
Note: H=VIH, L=VIL x= VIH or VIL, V = Valid Data.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S81600A-7TLI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IDT71V433 32K x 32 3.3V Synchronous SRAM Flow-Through Outputs
IDT71V65602 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V65602S-100BG 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V65602S-100BGI 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S81600A-7TLI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600AL-7TL 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS42S81600B-6T 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-6TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-7T 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 16Mx8 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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