- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377551 > IS42S32400B-6BL (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IS42S32400B-6BL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
| 封裝： | LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件頁數： | 14/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 644K |
| 代理商： | IS42S32400B-6BL |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁當前第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁
ISSI
14
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00G
06/15/06
IS42S32400B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
Symbol
Parameters
Rating
Unit
V
DD
MAX
V
DDQ
V
IN
V
OUT
P
D
MAX
I
CS
T
OPR
Maximum Supply Voltage
Maximum Supply Voltage for Output Buffer
Input Voltage
Output Voltage
Allowable Power Dissipation
Output Shorted Current
Operating Temperature
–0.5 to +4.6
–0.5 to +4.6
–0.5 to V
DD
+ 0.5
–1.0 to V
DDQ
+ 0.5
1
50
0 to +70
–40 to +85
–65 to +150
V
V
V
V
W
mA
°C
MAX
Com.
Ind.
T
STG
Storage Temperature
°C
DC RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
V
DDQ
V
IH
(1)
V
IL
(2)
Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
3.0
3.0
2.0
-1.2
3.3
3.3
—
—
3.6
3.6
V
V
V
V
V
DDQ
+ 1.2
+0.8
CAPACITANCE CHARACTERISTICS
(At T
A
= 0 to +25°C, V
DD
= V
DDQ
= 3.3 ± 0.3V)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
-6
-7
C
IN1
C
IN2
CI/O
Input Capacitance: CLK
Input Capacitance:All other input pins
Data Input/Output Capacitance:I/Os
2.5
2.5
4.0
3.5
3.8
6.5
4.0
5.0
6.5
pF
pF
pF
Note:
1. V
IH
(max) = V
DDQ
+1.2V (
PULSE
WIDTH
< 3
NS
).
2. V
IL
(min) = -1.2V (
PULSE
WIDTH
< 3
NS
).
3. All voltages are referenced to Vss.
Notes:
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to
the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other condi-
tions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. All voltages are referenced to Vss.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32400B-6T | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6TI | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6TL | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6TLI | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-7B | 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS42S32400B-6BL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (4Mx32) 166MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32400B-6B-TR | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90FBGA |
| IS42S32400B-6T | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP |
| IS42S32400B-6TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S32400B-6TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M (4Mx32) 166MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。