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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S32200C1 |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 為512k位× 32位× 4銀行（64兆位）同步動態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 58/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 623K |
| 代理商： | IS42S32200C1 |
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PACKAGING INFORMATION
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
10/06/05
Copyright 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.
Mini Ball Grid Array
Package Code: B (90-Ball)
mBGA - 8mm x 13mm
MILLIMETERS
INCHES
Sym. Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
N0.
Leads
90
A
A1
D
D1
E
E1
—
—
0.35
13.00 13.10
11.20
8.00
6.40
1.20
0.40
—
—
0.047
0.016
0.516
—
0.319
—
0.30
12.90
—
7.90
—
0.012 0.014
0.508 0.512
—
0.311 0.315
—
—
8.10
—
0.441
0.252
e
—
0.80
—
—
0.031
—
9 8 7 6 5 4 3 2 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
0.45 +
0.10/0.05
(90X)
D
e
e
A1
SEATING PLANE
A
D1
E1
E
Notes:
1. Controlling dimensions are in millimeters.
2. 0.8 mm Ball Pitch
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32200C1-55T | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-55TL | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-6BL | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-6T | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200C1-6TI | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32200C1-55T | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-55TL | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-55TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-55T-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-6BL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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