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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42S32200C1-7TLI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 4/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 623K |
| 代理商： | IS42S32200C1-7TLI |
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IS42S32200C1
ISSI
4
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00E
05/18/06
PIN CONFIGURATION
PACKAGE CODE:
B 90 BALL FBGA (Top View) (8.00 mm x 13.00 mm Body, 0.8 mm Ball Pitch)
1 2 3 4 5 6 7 8 9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
DQ26
DQ28
VSSQ
VSSQ
VDDQ
VSS
A4
A7
CLK
DQM1
VDDQ
VSSQ
VSSQ
DQ11
DQ13
DQ24
VDDQ
DQ27
DQ29
DQ31
DQM3
A5
A8
CKE
NC
DQ8
DQ10
DQ12
VDDQ
DQ15
VSS
VSSQ
DQ25
DQ30
NC
A3
A6
NC
A9
NC
VSS
DQ9
DQ14
VSSQ
VSS
VDD
VDDQ
DQ22
DQ17
NC
A2
A10
NC
BA0
CAS
VDD
DQ6
DQ1
VDDQ
VDD
DQ23
VSSQ
DQ20
DQ18
DQ16
DQM2
A0
BA1
CS
WE
DQ7
DQ5
DQ3
VSSQ
DQ0
DQ21
DQ19
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VDD
A1
NC
RAS
DQM0
VSSQ
VDDQ
VDDQ
DQ4
DQ2
PIN DESCRIPTIONS
A0-A10
Row Address Input
A0-A7
Column Address Input
BA0, BA1
Bank Select Address
DQ0 to DQ31
Data I/O
CLK
System Clock Input
CKE
Clock Enable
CS
Chip Select
RAS
Row Address Strobe Command
CAS
Column Address Strobe Command
WE
Write Enable
DQM0-DQM3
x32 Input/Output Mask
V
DD
Power
Vss
Ground
V
DDQ
Power Supply for I/O Pin
Vss
Q
Ground for I/O Pin
NC
No Connection
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32200 | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200-6T | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200-6TI | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200-7T | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200-7TI | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32200C1-7TLI-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-7TL-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-7T-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200E | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200E-5BL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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