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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42S32200C1-7TL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 37/59頁 |
| 文件大小： | 623K |
| 代理商： | IS42S32200C1-7TL |
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IS42S32200C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00E
05/18/06
37
OPERATING FREQUENCY / LATENCY RELATIONSHIPS
(1)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITION
-55
-6
-7
UNITS
—
Clock Cycle Time
5.5
6
7
ns
—
Operating Frequency
CL=3
183
166
143
MHz
t
CCD
READ/WRITE command to READ/WRITE command
1
1
1
cycle
t
CKED
CKE to clock disable or power-down entry mode
1
1
1
cycle
t
PED
CKE to clock enable or power-down exit setup mode
1
1
1
cycle
t
DQD
DQM to input data delay
0
0
0
cycle
t
DQM
DQM to data mask during WRITEs
0
0
0
cycle
t
DQZ
DQM to data high-impedance during READs
2
2
2
cycle
t
DWD
WRITE command to input data delay
0
0
0
cycle
t
DAL
Data-in to ACTIVE command
CL=3
CL=2
5
4
5
4
5
4
cycle
t
DPL
Data-in to PRECHARGE command
2
2
2
cycle
t
BDL
Last data-in to burst STOP command
1
1
1
cycle
t
CDL
Last data-in to new READ/WRITE command
1
1
1
cycle
t
RDL
Last data-in to PRECHARGE command
2
2
2
cycle
t
MRD
LOAD MODE REGISTER command
to ACTIVE or REFRESH command
2
2
2
cycle
t
ROH
Data-out to high-impedance from
PRECHARGE command
CL = 3
CL = 2
3
2
3
2
3
2
cycle
Note:
1. If CL = 2, the minimum t
CK
2
is 10ns.
AC TEST CONDITIONS
(Input/Output Reference Level: 1.5V)
Input Load
Output Load
2.75V
1.5V
0.25V
CLK
INPUT
OUTPUT
t
CHI
t
CH
t
AC
t
OH
t
CS
t
CK
t
CL
2.75V
1.5V
1.5V
1.5V
0.25V
I/O
50
Ω
+1.5V
30 pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32200C1-7TLI | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200 | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200-6T | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200-6TI | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32200-7T | 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32200C1-7TLI | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-7TLI-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-7TL-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200C1-7T-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32200E | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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