參數(shù)資料
型號: IS42S32200C1-7BI
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述: 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90
封裝: 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, FBGA-90
文件頁數(shù): 26/59頁
文件大?。?/td> 623K
代理商: IS42S32200C1-7BI
IS42S32200C1
ISSI
26
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00E
05/18/06
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
WRITE
NOP
NOP
NOP
D
IN
n
D
IN
n+1
BANK,
COL n
DON'T CARE
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
WRITE
NOP
WRITE
D
IN
n
D
IN
n+1
D
IN
b
BANK,
COL n
BANK,
COL b
DON'T CARE
WRITE Burst
WRITE to WRITE
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
WRITE
WRITE
WRITE
WRITE
D
IN
n
D
IN
b
D
IN
m
D
IN
x
BANK,
COL n
BANK,
COL b
BANK,
COL m
BANK,
COL x
Random WRITE Cycles
Burst length = 2 DQM ix low.
DQMx is low. Each Write Command
may be to any bank.
DQMx is low. Each Write Command
may be to any bank.
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PDF描述
IS42S32200C1-7BL 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200C1-7BLI 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200C1-7T 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200C1-7TI 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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參數(shù)描述
IS42S32200C1-7BI-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32200C1-7BL 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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IS42S32200C1-7BLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 64M 2Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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