參數(shù)資料
型號(hào)： IS42S32200C1-55TL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86
封裝： 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-86
文件頁(yè)數(shù)： 59/59頁(yè)
文件大小： 623K
代理商： IS42S32200C1-55TL
PACKAGING INFORMATION
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. C
01/28/02
1
Plastic TSOP 54–Pin, 86-Pin
Package Code: T (Type II)
Plastic TSOP (T - Type II)
Millimeters
Min
Max
Inches
Min
Symbol
Ref. Std.
No. Leads (N)
Max
54
A
A1
A2
b
C
D
E1
E
e
L
L1
—
0.05
—
0.30
0.12
22.02 22.42
10.03 10.29
11.56 11.96
0.80 BSC
0.40
—
1.20
0.15
—
0.45
0.21
—
0.002
—
0.012
0.005
0.867
0.395
0.455
0.031 BSC
0.016
—
0.047
0.006
—
0.018
0.0083
0.8827
0.405
0.471
0.60
—
0.024
—
ZD 0.71 REF
α
0°
8°
0°
8°
D
SEATING PLANE
b
e
C
1
N/2
N/2+1
N
E1
A1
A
E
L
α
ZD
Notes:
1. Controlling dimension: millimieters,
unless otherwise specified.
2. BSC = Basic lead spacing between
centers.
3. Dimensions D and E1 do not include
mold flash protrusions and
should be
measured from the bottom of the
package
.
4. Formed leads shall be planar with
respect to one another within 0.004
inches at the seating plane.
Plastic TSOP (T - Type II)
Millimeters
Min
Max
Inches
Min
Symbol
Ref. Std.
No. Leads (N)
Max
86
A
A1
A2
b
C
D
E1
E
e
L
L1
—
0.05
0.95
0.17
0.12
22.02 22.42
10.16 BSC
11.56 11.96
0.50 BSC
0.40
0.80 REF
1.20
0.15
1.05
0.27
0.21
—
0.002
0.037
0.007
0.005
0.867
0.400 BSC
0.455
0.020 BSC
0.016
0.031 REF
0.047
0.006
0.041
0.011
0.008
0.8827
0.471
0.60
0.024
ZD 0.61 REF 0.024 BSC
α
0°
8°
0°
8°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S32200C1-6BL 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200C1-6T 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200C1-6TI 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200C1-6TL 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200C1-6TLI 512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S32200C1-55TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32200C1-55T-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 183Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32200C1-6BL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32200C1-6BLI 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin Mini-BGA
IS42S32200C1-6T 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64M 2Mx32 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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