參數(shù)資料
型號: IS42S16800B-7TI
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述: 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝: 0.400 INCH, TSOP2-54
文件頁數(shù): 36/60頁
文件大?。?/td> 585K
代理商: IS42S16800B-7TI
ISSI
36
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. E
05/01/06
IS42S81600B, IS42S16800B
DON'T CARE
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
READ
NOP
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
D
OUT
n
D
OUT
n+1
D
OUT
n+2
D
OUT
n+3
BANK a,
COL n
BANK a,
ROW
BANK
(a or all)
CAS Latency - 2
t
RP
PRECHARGE
t
RQL
High-Z
DON'T CARE
CLK
COMMAND
ADDRESS
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
READ
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
D
OUT
n
D
OUT
n+1
D
OUT
n+2
D
OUT
n+3
BANK,
COL n
BANK,
COL b
CAS Latency - 3
t
RP
t
RQL
BANK a,
ROW
PRECHARGE
High-Z
READ to PRECHARGE
相關PDF資料
PDF描述
IS42S16800B-7TLI 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-6T 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-6TL 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-7T 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-7TI 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S16800B-7TI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16800B7TL 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS42S16800B-7TL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16800B-7TLI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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