參數(shù)資料
型號: IS42S16800B-7TI
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述: 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝: 0.400 INCH, TSOP2-54
文件頁數(shù): 13/60頁
文件大?。?/td> 585K
代理商: IS42S16800B-7TI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. E
05/01/06
13
ISSI
IS42S81600B, IS42S16800B
Mode
Register
Set
IDLE
Self
Refresh
CBR (Auto)
Refresh
Row
Active
Active
Power
Down
Power
Down
WRITE
WRITE
SUSPEND
READ
READ
SUSPEND
WRITEA
SUSPEND
WRITEA
READA
READA
SUSPEND
POWER
ON
Precharge
Automatic sequence
Manual Input
SELF
SELF exit
REF
MRS
ACT
CKE
CKE
CKE
CKE
BST
Write
Write
Precharge
REPehreemnto)
PEPehreemnto)
Wt ih
At rcag
Read
Write
BST
CKE
CKE
CKE
CKE
CKE
CKE
CKE
CKE
Read
STATE DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S16800B-7TLI 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-6T 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-6TL 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-7T 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-7TI 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S16800B-7TI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16800B7TL 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS42S16800B-7TL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16800B-7TLI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16800B-7TLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube