參數(shù)資料
型號: IS42S16800B-7T
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述: 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝: 0.400 INCH, TSOP2-54
文件頁數(shù): 21/60頁
文件大?。?/td> 585K
代理商: IS42S16800B-7T
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. E
05/01/06
21
ISSI
IS42S81600B, IS42S16800B
AUTO-REFRESH CYCLE
Notes:
1.
CAS
latency = 2, 3
t
RP
t
RC
t
RC
DON'T CARE
CLK
CKE
COMMAND
DQM/
DQML, DQMH
A0-A
9
, A11
A10
BA0, BA1
DQ
t
AS
t
AH
t
CH
t
CL
t
CK
t
CMS
t
CMH
t
CKS
t
CKH
T0
T1
T2
Tn+1
To+1
ALL BANKS
SINGLE BANK
BANK
(s)
ROW
ROW
BANK
High-Z
PRECHARGE
NOP
NOP
NOP
ACTIVE
Auto
Refresh
Auto
Refresh
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S16800B-7TI 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800B-7TLI 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-6T 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-6TL 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S81600B-7T 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S16800B-7TI 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16800B-7TI-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16800B7TL 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS42S16800B-7TL 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16800B-7TLI 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 8Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube