- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377550 > IS42S16400D-7BLI (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IS42S16400D-7BLI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 10.10 X 6.40 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 12/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 578K |
| 代理商： | IS42S16400D-7BLI |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁當前第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁
IS42S16400D
ISSI
12
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
07/05/06
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
Symbol
Parameters
Rating
Unit
V
DD
MAX
V
DDQ
V
IN
V
OUT
P
D
MAX
I
CS
T
OPR
Maximum Supply Voltage
Maximum Supply Voltage for Output Buffer
Input Voltage
Output Voltage
Allowable Power Dissipation
Output Shorted Current
Operating Temperature
–1.0 to +4.6
–1.0 to +4.6
–1.0 to V
DDQ
+ 0.5
–1.0 to V
DDQ
+ 0.5
1
50
0 to +70
–40 to +85
–65 to +150
V
V
V
V
W
mA
°C
MAX
Com.
Ind.
T
STG
Storage Temperature
°C
DC RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
(2)
(
At T
A
= 0 to +70°C)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
Supply Voltage
Input High Voltage
(3)
Input Low Voltage
(4)
3.0
2.0
-0.3
3.3
—
—
3.6
V
V
V
V
DD
+ 0.3
+0.8
CAPACITANCE CHARACTERISTICS
(1,2)
(At T
A
= 0 to +25°C, V
DD
= V
DDQ
= 3.3 ± 0.3V, f = 1 MHz)
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
C
IN
C
CLK
CI/O
Input Capacitance: Address and Control
Input Capacitance: (CLK)
Data Input/Output Capacitance: I/O0-I/O15
—
—
—
3.8
3.5
6.5
pF
pF
pF
Notes:
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to the device. This is a
stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
2. All voltages are referenced to GND.
3. V
IH
(max) = V
DDQ
+ 2.0V with a pulse width < 3ns.
4. V
IL
(min) = GND - 2.0V with a pulse width < 3ns.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S16400D-7T | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16400D-7TI | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16400D-7TL | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16400D-7TLI | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16400 | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S16400D-7BLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M 4Mx16 143Mhz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16400D-7BL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M 4Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16400D-7T | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M 4Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16400D-7TI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M 4Mx16 143Mhz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16400D-7TI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 64M 4Mx16 143Mhz Industrial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。