- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377550 > IS42S16160B-7TI (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IS42S16160B-7TI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 5/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 646K |
| 代理商： | IS42S16160B-7TI |
第1頁第2頁第3頁第4頁當(dāng)前第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00E
05/25/06
5
ISSI
IS42S83200B, IS42S16160B
PIN CONFIGURATION
54-ball fBGA for x16
(Top View) (8.00 mm x 13.00 mm Body, 0.8 mm Ball Pitch)
PACKAGE CODE:
B
1 2 3 4 5 6 7 8 9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
VSS
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
DQMH
A12
A8
VSS
DQ15
DQ13
DQ11
DQ9
NC
CLK
A11
A7
A5
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
CKE
A9
A6
A4
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
CAS
BA0
A0
A3
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
DQML
RAS
BA1
A1
A2
VDD
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
WE
CS
A10
VDD
PIN DESCRIPTIONS
A0-A12
Row Address Input
A0-A8
Column Address Input
BA0, BA1
Bank Select Address
DQ0 to DQ15
Data I/O
CLK
System Clock Input
CKE
Clock Enable
CS
Chip Select
RAS
Row Address Strobe Command
CAS
Column Address Strobe Command
WE
Write Enable
DQML
x16 Lower Byte Input/Output Mask
DQMH
x16 Upper Byte Input/Output Mask
V
DD
Power
Vss
Ground
V
DDQ
Power Supply for I/O Pin
Vss
Q
Ground for I/O Pin
NC
No Connection
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S16400A | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16400B1 | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16400B1-7T | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16400C1 | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16400C1-6T | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S16160B-7TI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 3.3v 16Mx16 143MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16160B-7TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 3.3v 16Mx16 143MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16160B-7TLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 3.3v 16Mx16 143MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16160B-7TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 3.3v 16Mx16 143MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S16160B-7TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 3.3v 16Mx16 143MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。