參數(shù)資料
型號: IS42S16100C1-5TL
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述: 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO50
封裝: 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-50
文件頁數(shù): 54/79頁
文件大?。?/td> 755K
代理商: IS42S16100C1-5TL
IS42S16100C1
ISSI
54
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
07/21/04
Read Cycle / Precharge Termination
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0-A9
A10
A11
DQM
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
t
CK
t
CHI
t
CL
t
CH
t
CS
t
CH
t
CS
t
CH
t
CS
t
CH
t
CS
t
AH
t
AS
NO PRE
AUTO PRE
NO PRE
t
AH
t
AS
t
CS
t
AH
t
AS
t
CKS
t
CKA
BANK 0
BANK 0
BANK 1
BANK 0
BANK 0
BANK 0
BANK 0 OR 1
ROW
ROW
ROW
COLUMN m
COLUMN n
ROW
t
QMD
t
LZ
t
RAS
t
RC
t
RC
<
ACT 0
>
<
ACT
>
<
READ 0
>
<
PRE 0
>
<
READ
>
<
READA
>
t
RCD
t
CAC
t
RQL
t
RP
t
RCD
t
AC
t
AC
t
OH
t
AC
t
HZ
t
OH
t
OH
t
CH
D
OUT
m
D
OUT
m+2
t
RAS
t
CAC
BANK 1
D
OUT
m+1
(1)
(1)
Don't Care
Undefined
CAS
latency = 2, burst length = 4
Note 1: A8,A9 = Don’t Care
.
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PDF描述
IS42S16100C1-6T 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16100C1-6TL 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16100C1-7T 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16100C1-7TI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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參數(shù)描述
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IS42S16100C1-5T-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M 1Mx16 200Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16100C1-6T 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M 1Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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