參數(shù)資料
型號(hào): IS42S16100C1-5TL
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述: 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO50
封裝: 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-50
文件頁(yè)數(shù): 36/79頁(yè)
文件大?。?/td> 755K
代理商: IS42S16100C1-5TL
IS42S16100C1
ISSI
36
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
07/21/04
OPERATION TIMING EXAMPLE
Power-On Sequence, Mode Register Set Cycle
CLK
CKE
HIGH
HIGH
CS
RAS
CAS
WE
A0-A9
A10
A11
DQM
DQ
T0
T1
T2
T3
T10
T17
T18
T19
T20
t
CK
t
CHI
t
CL
t
CH
t
CS
t
CH
t
CS
t
CH
t
CS
t
CH
t
CS
t
AH
t
AS
BANK 0 & 1
t
AH
t
AS
t
AH
t
AS
t
AH
t
AS
CODE
CODE
CODE
ROW
ROW
BANK 1
BANK 0
WAIT TIME
T=100 μs
t
RP
t
RC
t
RC
t
MCD
t
RAS
t
RC
<
ACT
>
<
MRS
>
<
REF
>
<
PALL
>
<
REF
>
CAS
latency = 2, 3
Don't Care
Undefined
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S16100C1-6T 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16100C1-6TL 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16100C1-7T 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16100C1-7TI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16100C1-7TL 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S16100C1-5TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 200Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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IS42S16100C1-6T 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 166Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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