參數(shù)資料
型號： IS41LV16257-60K
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
中文描述： 256K X 16 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO40
封裝： 0.400 INCH, SOJ-40
文件頁數(shù)： 3/17頁
文件大?。?/td> 160K
代理商： IS41LV16257-60K
IS41C16257
IS41LV16257
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
DR004-1B
05/24/99
3
ISSI
TRUTH TABLE
Function
Standby
Read: Word
Read: Lower Byte
RAS
H
L
L
LCAS
H
L
L
UCAS
H
L
H
WE
X
H
H
OE
X
L
L
Address t
R
/t
C
X
ROW/COL
ROW/COL
I/O
High-Z
D
OUT
Lower Byte, D
OUT
Upper Byte, High-Z
Lower Byte, High-Z
Upper Byte, D
OUT
D
IN
Lower Byte, D
IN
Upper Byte, High-Z
Lower Byte, High-Z
Upper Byte, D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
High-Z
High-Z
Read: Upper Byte
L
H
L
H
L
ROW/COL
Write: Word (Early Write)
Write: Lower Byte (Early Write)
L
L
L
L
L
H
L
L
X
X
ROW/COL
ROW/COL
Write: Upper Byte (Early Write)
L
H
L
L
X
ROW/COL
Read-Write
(1,2)
Hidden Refresh
2)
L
L
L
L
H
L
L
L
L
H
L
H
→
L
H
L
X
X
L
→
H
L
X
X
X
ROW/COL
ROW/COL
ROW/COL
ROW/NA
X
Read L
→
H
→
L
Write L
→
H
→
L
RAS
-Only Refresh
CBR Refresh
(3)
L
H
→
L
Notes:
1. These WRITE cycles may also be BYTE WRITE cycles (either
LCAS
or
UCAS
active).
2. These READ cycles may also be BYTE READ cycles (either
LCAS
or
UCAS
active).
3. At least one of the two CAS signals must be active (
LCAS
or
UCAS
).
相關PDF資料
PDF描述
IS41LV16257-60KI 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41LV16257-60T 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41LV16257-60TI 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41LV16400 4M x 16 DRAM With EDO Page Mode(3.3V,4M x 16 帶擴展數(shù)據(jù)輸出頁模式動態(tài)RAM)
IS41LV32256 256K x 32 (8-Mbit) EDO DRAM 3.3V, 100/83/66 MHz(3.3V, 100/83/66 MHz,256K x 32帶擴展數(shù)據(jù)輸出動態(tài)RAM)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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