參數(shù)資料
型號: IS41LV16256-60K
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述: 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40
封裝: 0.400 INCH, MS-027, SOJ-40
文件頁數(shù): 14/19頁
文件大?。?/td> 153K
代理商: IS41LV16256-60K
14
Integrated Silicon Solution, Inc.
1-800-379-4774
Rev. J
06/29/00
IS41C16256
IS41LV16256
ISSI
EDO-PAGE-MODE EARLY-WRITE CYCLE
t
RASP
t
RP
ADDRESS
UCAS
/
LCAS
RAS
Row
Row
t
CAS,
t
CLCH
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Column
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Valid Data
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Valid Data
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Valid Data
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DS
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DH
Don't Care
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS41LV16256-60KI 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16256-60T 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16256-60TI 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16256 256K x 16 DRAM With EDO Page Mode(3.3V,256K x 16 帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出頁模式動(dòng)態(tài)RAM)
IS41LV16257 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
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參數(shù)描述
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IS41LV16256-60TI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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IS41LV16256B-35K 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M 256Kx16 35ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube