參數(shù)資料
型號: IRLZ34NSPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035ヘ , ID = 30A )
中文描述: HEXFET功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 55V的,的RDS(on)\u003d 0.035ヘ,身份證\u003d 30A條)
文件頁數(shù): 3/11頁
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代理商: IRLZ34NSPBF
www.irf.com
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V , Drain-to-Source Voltage (V)
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20μs PULSE WIDTH
T = 175°C
VGS
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V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
VGS
2.5V
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1000
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T = 25°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
T = 175°C
A
V = 25V
20μs PULSE WIDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60
-40 -20
0
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40
60
80
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T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
V = 10V
A
I = 27A
相關PDF資料
PDF描述
IRLZ44NSPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLZ44SPBF HEXFET Power MOSFET
IRMCF312 Dual Channel Sensorless PM Motor Control IC MCETM(Motion Control Engine) based sinusoidal sensorless control
IRMCF371 Sensorless Motor Control IC for Appliances
IRMCK201 High Performance Configurable Digital AC Servo Control IC
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRLZ34NSPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes
IRLZ34NSTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRLZ34NSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLZ34NSTRR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLZ34PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube